L’explosion des usages liés à l’intelligence artificielle (IA) entraîne une croissance massive des volumes de données à stocker et à traiter. Pour suivre le rythme, il faut des puces de mémoire toujours plus rapides, plus denses et plus économes en énergie.
Alors, Samsung répond à la demande avec sa nouvelle puce V10 BV-NAND. Une NAND verticale de dixième génération spécialement développée pour les usages liés à la technologie populaire du siècle : l’IA.
Cette solution est à même d’empiler plus de 400 couches de mémoire flash. Le géant coréen l’a présenté à l’occasion du salon Future of Memory and Storage (FMS).
V10 BV-NAND : que promet la nouvelle puce IA de Samsung ?
Sa principale innovation repose sur une nouvelle méthode d’assemblage des plaquettes, baptisée architecture BV-NAND. Comme dit tout haut, cette technologie permet d’empiler plus de 400 couches de mémoire, contre environ 286 pour la génération V9.
Résultat : la densité de stockage progresse d’environ 58 % par rapport à la génération précédente. Par ailleurs, Samsung se vante d’être le premier fabricant à adopter cette nouvelle architecture.
Le genre qui ouvre la voie à des capacités de stockage toujours plus importantes sans augmenter l’encombrement des puces. Cela dit, la V10 BV-NAND ne se contente pas d’offrir davantage de capacité.
Le fabricant annonce également des gains en vitesse de lecture, d’écriture et de performances en entrées-sorties (E/S). Ce, tout en réduisant la consommation énergétique.
Inutile de vous dire que ces caractéristiques en font une solution particulièrement adaptée aux centres de données. Là où les modèles d’IA manipulent d’immenses volumes d’informations.
Pour l’instant, Samsung n’a communiqué aucune date de lancement pour la V10 BV-NAND. En revanche, le constructeur laisse entendre qu’elle arrivera avant la prochaine génération V11. Dont la commercialisation est attendue au cours de l’année 2027.
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