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Samsung est sur le point de travailler sur un nouveau type de mémoire baptisé « mémoire à sélecteur unique (SOM) » conçu grâce à une avancée en matière de criblage. Il semblerait que la vitesse de cette mémoire est identique à celle de la RAM et des capacités SSD.
Samsung s’est servi d’une modélisation informatique avancée pour développer rapidement la mémoire Selector-Only (SOM). Il s’agit d’une technologie de mémoire inédite alliant la non-volatilité avec des vitesses de lecture/écriture ainsi qu’une empilabilité de type RAM.
Une technologie de mémoire développée par Samsung ? Que promet-il réellement ?
Samsung a conçu la mémoire Selector-Only en se basant sur les recherches antérieures de la société dans ce domaine. Ce nouveau type de mémoire repose sur des architectures de mémoire à points croisés.
Il s’agit d’une mémoire identique à une mémoire à changement de phase et à la RAM résistive (RRAM) dans lesquels on utilise des réseaux empilés d’électrodes.
De manière générale, ces architectures demandent un transistor sélecteur ou une diode pour adresser des cellules mémoires spécifiques et prévenir les chemins électriques non intentionnels.
Samsung quant à elle a choisi une nouvelle approche. Cette technique consiste à explorer des matériaux à base de chalcogénure fonctionnant à la fois comme sélecteur et comme élément de mémoire. Ce qui permet ainsi d’obtenir une nouvelle forme de mémoire volatile.
Nouveau type de mémoire de Samsung, une recherche qui reste à prouver ?
Selon le rapport d’eeNews Analog, les chercheurs de Samsung devront encore présenter leurs résultats durant l’International Electron Devices Meeting (IEDM) qui se déroulera du 7 au 11 décembre à San Francisco.
L’entreprise expliquera durant cet événement la manière dont elle a choisi une vaste gamme de matériaux chalcogénures pour les applications SOM. Ce géant technologique sud-coréen atteste que son étude a exploré plus de 4 000 combinaisons de matériaux.
Néanmoins, ils ont réussi à les réduire à 18 candidats prometteurs grâce à une modélisation informatique basée sur la méthode Ab-initio. Elle a surtout travaillé à l’amélioration de la dérive de la tension de seuil ainsi qu’à l’optimisation de la fenêtre de mémoire, qui sont deux facteurs clés des performances du SMO.
Qu’est-ce qui différencie ce type de mémoire de Samsung ?
Rappelons que les recherches traditionnelles sur les SOM se sont limitées à l’usage de systèmes de chalcogénures Ge, As et Se présents dans les commutateurs à seuil ovonique (OTS).
Néanmoins, Samsung confirme que son processus de modélisation complet est à l’origine d’une recherche plus large. Elle prend d’ailleurs en considération les caractéristiques de liaisons, la stabilité thermique ainsi que la fiabilité des appareils dans le but d’améliorer les performances et l’efficacité.
Une présentation de suivi de l’IEDM, eeNews Analog rapporte que, les chercheurs de l’IMEC doivent encore discuter des mécanismes atomiques potentiels comme le réarrangement local des liaisons atomiques et la ségrégation atomique.
Ces derniers pourraient être utilisés pour expliquer la manière dont le composant sélecteur dans SOM pourrait influencer davantage la tension de seuil, qui est un facteur essentiel dans les performances de la mémoire.
Que pensez-vous de ce nouveau type de mémoire ? Cette solution pourrait-elle réellement proposer une vitesse plus rapide que les autres mémoires ? Partagez votre idée dans les commentaires !
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